中化新网讯 4月19日，在由中国氟硅有机材料工业协会主办的高端氟材料开发与应用研讨会上，多名与会专家表示，我国氟材料在光刻胶、半导体领域处于一种“上游做得出，下游却用不了”的尴尬境况，须在提纯技术、产品稳定性等方面进行优化。

　　江苏集萃光敏电子材料研究所有限公司董事长聂俊认为，金属离子杂质是阻碍国产氟材料进入高端应用领域的最大绊脚石。“氟材料里的金属离子会影响芯片的性能。”他解释道，含有一点金属杂质就可能会造成芯片全部断线。

　　“如何将金属离子从氟材料中完全去除?目前我们还没掌握此技术。”聂俊遗憾地说。在光刻胶制备过程中，从实验室里的搅拌棒到工业放大中的每节管道，都会影响光刻胶的质量。关注工程化设备、工程化管理、装修材料、包装容器、运输与储存全流程使用材料的纯度，不仅是光刻胶行业的生产必需，还有助于氟材料厂家提升产品的长期稳定性与批次稳定性。

　　据悉，光刻胶是半导体制造中不可缺少的材料，光刻胶的质量与半导体的质量息息相关。对此，山东东岳高分子材料有限公司研究所研发项目经理周鹏飞表示，半导体先进制程工艺中超纯水、超纯化学品的使用要求日益提高，材料的选择在半导体湿法工艺中较为重要。然而国内的聚四氟乙烯金属离子溶出高，也会对器件的质量和成品率造成影响。

　　此外，聂俊与周鹏飞都指出，高纯金属离子析出的检测技术也十分重要，需要我国氟材料厂家开展针对性的研究、优化，通过标准倒推行业纯化技术创新。目前，东岳搭建了痕量物质检测平台，通过ICP-M5分析树脂中ppb级别的金属离子残留，可用于检测评价聚四氟乙烯成品。

　　“总而言之，希望国内企业能生产出更多更优质的氟材料，减少光刻胶企业的国外进口，助力国产光刻胶、芯片、半导体自主化发展。”聂俊说。

来源：中国化工报